东芝推出采用TOLL封装的650V第三代SiCMOSFET
时间：2025-08-30 10:25
来源：盖世汽车
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盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET，搭载其最新的第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，例如开关电源和光伏发电机的功率调节器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”即日起批量出货。
这些新产品是东芝第三代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L等通孔封装相比，该封装可将器件体积缩小80%以上，并提高设备的功率密度。
TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗，有助于降低开关损耗。作为四端子封装，开尔文连接可用作栅极驱动的信号源端子。这降低了封装内源极线电感的影响，实现了高速开关性能；以TW048U65C为例，其导通损耗和关断损耗分别比东芝现有产品低约55%和25%，这将有助于降低设备的功率损耗。
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